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崗位職責：
1. 工作地點：長沙、嘉興或者上海；
2. 進行IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率半導體器件的新產(chǎn)品研發(fā)工作，包括工藝仿真、結構設計、工藝流程制定；
3. 新產(chǎn)品開發(fā)和項目管理計劃的制定及實施；
4. 新產(chǎn)品、新技術的跟進和研究。
任職要求：
1. 微電子與固體電子、半導體器件與物理等相關專業(yè)，具有扎實的物理基礎和半導體器件基礎；
2. 碩士/博士學歷，或者本科學歷具有功率半導體器件相關工作經(jīng)驗3年以上，熟悉IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率半導體器件的開發(fā)流程；
3. 具有Fab實際經(jīng)驗和上述功率半導體器件的實際開發(fā)/生產(chǎn)經(jīng)驗者優(yōu)先；
4. 熟悉器件仿真（TCAD Simulation）和 版圖設計（Layout Design）；
5. 具有較強的溝通能力、獨立思考能力及團隊協(xié)作能力；
6. 學習能力較強，具有創(chuàng)新精神。